根据最新的资料，中国在光刻机技术领域取得了显著的进展，具体细节如下：

1.

技术突破概述：

• 近期，中国工业和信息化部（MIIT）宣布，中国推出了两种国产的半导体光刻机械，在深超紫外（DUV）光刻技术上取得了重大的技术突破，并且拥有自主知识产权

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  。

2.

具体技术参数：

• 其中一款光刻机的工作波长为193纳米，分辨率低于65纳米，重叠精度低于8纳米。

• 另一款光刻机使用248纳米波长，分辨率为110纳米，重叠精度为25纳米

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3.

技术与国际水平对比：

• 荷兰阿斯麦（A *** L）公司生产的先进DUV光刻机的分辨率可以达到38纳米以下，叠层精度更是低至1.3纳米

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  。

• 尽管中国的技术进步显著，但与荷兰A *** L公司的设备相比，仍存在一定的差距。

4.

市场与应用前景：

• 尽管尚未正式投入市场，但国产光刻机的研发进展为中国半导体产业带来了新的希望

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• 中国在芯片制造技术上的进步体现了科技自立自强的决心，尽管与国际先进水平相比还有差距，但这一突破为未来科技产业的发展铺平了道路

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5.

政策与支持：

• 中国 *** 一直在大力支持国产半导体设备的研发，通过产业政策的引导、科研资金的投入以及人才培养等多方面的努力，中国半导体行业已经在多领域取得了突破

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6.

未来展望：

• 中国国产光刻机的研发仍处于“跟跑”阶段，与全球领跑者尚有差距。但只要坚持自主创新，集中力量攻关核心技术，突破国外的技术封锁，未来的中国完全有机会在半导体领域实现从“跟跑”到“并跑”，甚至是“领跑”

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综上所述，中国在光刻机技术上的突破是国产半导体设备发展的重要里程碑，虽然与国际领先水平相比还有差距，但这一进展为中国的半导体产业自主化道路注入了新的活力，并预示着未来可能实现更大的技术突破。